Intel已开始接收ASML提供的新一代高数值孔径(High-NA)极紫外光(EUV)光刻机，预计该技术将在Intel 18A工艺节点之后得到应用。这表示它将用于制造小于1.8纳米的芯片，预计时间框架为2026至2027年。
Intel首席执行官基辛格透露了其中一个新节点可能相当于1.5纳米工艺水平，预计将命名为15A，并计划在德国的工厂进行量产。
相比之下，台积电对于采用高NA EUV光刻机的计划显得更为谨慎。多个消息来源指出，台积电正在评估该技术的引入，并不打算在短期内采用，可能要等到1纳米工艺时代才会开始使用，预计时间为2030年左右。
目前，台积电正致力于开发2纳米工艺，预计在2025至2027年间实现量产。这一工艺将允许单芯片集成超过1000亿个晶体管，单个封装可超过5000亿个晶体管。接下来是1.4纳米和1纳米工艺，后者计划在2030年左右量产，目标是在单颗芯片内集成超过2000亿个晶体管，单个封装内则超过1万亿个，这将是N2工艺的两倍。
